绕开EUV封锁！国产存储芯片，开创“两步循环刻蚀”新工艺突围

出品 | 搜狐财经-天机制造局

文案、剪辑 | 王泽红

你敢信吗？没了EUV光刻机，照样能造出尖端存储芯片。

就在最近，北方华创在IEEE期刊上发表论文，宣布在3D DRAM制造工艺领域实现重大突破，成功研发出一种名为“两步循环刻蚀”的创新技术。

这项技术，极有可能助力长鑫绕开EUV光刻机的限制，直接实现3D DRAM的量产。

过去十多年，DRAM的更新迭代一直围绕二维微缩展开——把晶体管平铺于硅片之上，从19纳米到17纳米，存储单元不断缩小，一旦推进到7纳米以下，就离不开EUV了。

然而EUV光刻机全球仅有荷兰能造，单台售价高达十几亿元，我国受到严格封锁，根本无法购入。

3D路线则是DRAM技术演进的下一阶段——将晶体管从二维平面转为三维垂直堆叠。一层不够便叠几十层，通过堆叠来提升存储密度。堆叠层数越多，容量越大，对顶级光刻机的依赖反而越低。

但要建好这座“芯片大厦”，有一项世界级难题横在眼前：需要在几十层硅与硅锗交替叠放的材料中，精确掏空硅锗层、保留硅骨架以搭建电路，同时不能损伤硅层。

北方华创的“两步循环刻蚀工艺”，正是针对这一难点给出的解法：

第一步是“刻”，采用不带电的氟自由基进行定点刻蚀，只针对硅锗层动手；

第二步是“清”，将刻蚀产生的副产物彻底清除，确保刻蚀能持续向深处推进。

刻一下，清一次渣，如此反复，直接干到第64层。

这套组合策略执行下来，每刻掉500层硅锗才伤及1层硅；200纳米深的夹层损耗控制在1纳米以内，相当于头发丝的七万分之一；64层堆叠均匀度超过95%，各项指标已达国际一流水准。

其最大意义在于，能为国产存储避开光刻封锁找到出路。

三星、SK海力士、美光都在依靠EUV继续推进微缩制程，而长鑫存储却被挡在门外。若长鑫能将北方华创的刻蚀装备与“两步循环刻蚀”新工艺整合起来，极有可能在3D堆叠这条赛道上，赢得与国际巨头同场竞技的资格。

你觉得，这条路线从论文发表走到量产，还要跨过多远的距离？欢迎评论区聊聊

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